是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 55 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | S-PQFP-G64 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 8192 bit |
内存集成电路类型: | MULTI-PORT SRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 3 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 64 | 字数: | 1024 words |
字数代码: | 1000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 1KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | QFP |
封装等效代码: | QFP64,.47SQ,20 | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | FLATPACK | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.004 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.14 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7130LA70C | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 70ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48 | |
IDT7130LA70CB | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 70ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48 | |
IDT7130LA70F | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 70ns, CMOS, CQFP48, QFP-48 | |
IDT7130LA70FB | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 70ns, CMOS, CQFP48, QFP-48 | |
IDT7130LA70FG | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 70ns, CMOS, CQFP48, QFP-48 | |
IDT7130LA70J | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 70ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 | |
IDT7130LA70JG | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 70ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 | |
IDT7130LA70JG8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 70ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 | |
IDT7130LA70L48 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 70ns, CMOS, CQCC48, LCC-48 | |
IDT7130LA70L48B | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 70ns, CMOS, CQCC48, LCC-48 |