是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFP |
包装说明: | QFF, QFL48,.75SQ | 针数: | 48 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.64 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 90 ns |
其他特性: | INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-CQFP-F48 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 8192 bit | 内存集成电路类型: | MULTI-PORT SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 48 |
字数: | 1024 words | 字数代码: | 1000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 1KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | QFF |
封装等效代码: | QFL48,.75SQ | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | FLATPACK | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 2.7432 mm |
最大待机电流: | 0.0015 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.13 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | FLAT |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7130LA90FB | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 90ns, CMOS, CQFP48, QFP-48 | |
IDT7130LA90J | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 90ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 | |
IDT7130LA90J8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 90ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 | |
IDT7130LA90L48 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 90ns, CMOS, CQCC48, LCC-48 | |
IDT7130LA90L48B | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 90ns, CMOS, CQCC48, LCC-48 | |
IDT7130LA90L52 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX8, 90ns, CMOS, CQCC52, LCC-52 | |
IDT7130LA90L52B | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX8, 90ns, CMOS, CQCC52, LCC-52 | |
IDT7130LA90P | ETC |
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x8 Dual-Port SRAM | |
IDT7130LA90PG | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 90ns, CMOS, PDIP48, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-48 | |
IDT7130LA90XCB | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX8, 90ns, CMOS, CDIP48 |