是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | LCC |
包装说明: | QCCN, LCC48,.56SQ,40 | 针数: | 48 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.64 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 90 ns |
其他特性: | INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-CQCC-N48 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 14.3002 mm | 内存密度: | 8192 bit |
内存集成电路类型: | MULTI-PORT SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 48 | 字数: | 1024 words |
字数代码: | 1000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 1KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | QCCN | 封装等效代码: | LCC48,.56SQ,40 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 3.048 mm | 最大待机电流: | 0.0015 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.13 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 1.016 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 14.3002 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7130LA90L48B | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 90ns, CMOS, CQCC48, LCC-48 | |
IDT7130LA90L52 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 90ns, CMOS, CQCC52, LCC-52 | |
IDT7130LA90L52B | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 90ns, CMOS, CQCC52, LCC-52 | |
IDT7130LA90P | ETC |
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x8 Dual-Port SRAM | |
IDT7130LA90PG | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 90ns, CMOS, PDIP48, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-48 | |
IDT7130LA90XCB | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 90ns, CMOS, CDIP48 | |
IDT7130S100C | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 100ns, CMOS, CDIP48 | |
IDT7130S100CB | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX8, 100ns, CMOS, CDIP48 | |
IDT7130S100L48 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 100ns, CMOS, CQCC48 | |
IDT7130S100LI | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX8, 100ns, CMOS, CQCC48 |