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IDT7130LA70CB

更新时间： 2024-11-11 18:58:59

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
17页	529K
描述
Multi-Port SRAM, 1KX8, 70ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48

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IDT7130LA70CB 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48	针数：	48
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.41
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-CDIP-T48
JESD-609代码：	e0	长度：	60.96 mm
内存密度：	8192 bit	内存集成电路类型：	MULTI-PORT SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	2	端子数量：	48
字数：	1024 words	字数代码：	1000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	1KX8
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP48,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度：	4.826 mm	最大待机电流：	0.004 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.18 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT7130LA70F	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 1KX8, 70ns, CMOS, CQFP48, QFP-48
IDT7130LA70FB	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 1KX8, 70ns, CMOS, CQFP48, QFP-48
IDT7130LA70FG	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 1KX8, 70ns, CMOS, CQFP48, QFP-48
IDT7130LA70J	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 1KX8, 70ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52
IDT7130LA70JG	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 1KX8, 70ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52
IDT7130LA70JG8	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 1KX8, 70ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52
IDT7130LA70L48	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 1KX8, 70ns, CMOS, CQCC48, LCC-48
IDT7130LA70L48B	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 1KX8, 70ns, CMOS, CQCC48, LCC-48
IDT7130LA70L48G	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 1KX8, 70ns, CMOS, CQCC48, LCC-48
IDT7130LA70L52	ETC	获取价格	x8 Dual-Port SRAM