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IDT71258L45TCB

更新时间： 2024-09-15 20:52:07

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	195K
描述
Standard SRAM, 64KX4, 45ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, DIP-24

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IDT71258L45TCB 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	0.300 INCH, SIDE BRAZED, DIP-24	针数：	24
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.92
最长访问时间：	45 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-CDIP-T24	JESD-609代码：	e0
长度：	30.607 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	24	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	64KX4	输出特性：	3-STATE
可输出：	NO	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP24,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B	座面最大高度：	5.08 mm
最大待机电流：	0.002 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.14 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT71258L45TP	ETC	获取价格	x4 SRAM
IDT71258L45Y	IDT	获取价格	Standard SRAM, 64KX4, 45ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24
IDT71258L55EB	ETC	获取价格	x4 SRAM
IDT71258L55L	IDT	获取价格	Standard SRAM, 64KX4, 55ns, CMOS, CQCC28, LCC-28
IDT71258L55L28B	IDT	获取价格	Standard SRAM, 64KX4, 55ns, CMOS, CQCC28, LCC-28
IDT71258L55L28B8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 64KX4, 55ns, CMOS, CQCC28, LCC-28
IDT71258L55LB	IDT	获取价格	Standard SRAM, 64KX4, 55ns, CMOS, CQCC28, LCC-28
IDT71258L55P	ETC	获取价格	x4 SRAM
IDT71258L55SO	ETC	获取价格	x4 SRAM
IDT71258L55TCB	IDT	获取价格	Standard SRAM, 64KX4, 55ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, DIP-24