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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, | 针数： | 24 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 25 ns | JESD-30 代码： | R-PDIP-T24 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 31.6865 mm |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 4 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 24 |
| 字数： | 65536 words | 字数代码： | 64000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 64KX4 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | NO |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 4.191 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 7.62 mm |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT71258S25SO | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
|
| IDT71258S25TC | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX4, 25ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, DIP-24 |
|
| IDT71258S25TCB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX4, 25ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, DIP-24 |
|
| IDT71258S25TP | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX4, 25ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24 |
|
| IDT71258S25Y | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX4, 25ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24 |
|
| IDT71258S25Y8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX4, 25ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24 |
|
| IDT71258S35CB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX4, 35ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, DIP-24 |
|
| IDT71258S35EB | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
|
| IDT71258S35L28 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX4, 35ns, CMOS, CQCC28, LCC-28 |
|
| IDT71258S35L288 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX4, 35ns, CMOS, CQCC28, LCC-28 |
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