Datasheet > IDT70V7288S20PF8

IDT70V7288S20PF8

更新时间： 2024-10-29 14:51:23

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
16页	134K
描述
Dual-Port SRAM, 64KX16, 20ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IDT70V7288S20PF8 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFP	包装说明：	14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
针数：	100	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.B	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.4	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	20 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	S-PQFP-G100	JESD-609代码：	e0
长度：	14 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	2	端子数量：	100
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LFQFP	封装等效代码：	QFP100,.63SQ,20
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	最大待机电流：	0.006 A
最小待机电流：	3.14 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.26 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

IDT70V7288S20PF8 数据手册

HIGH-SPEED 3.3V

IDT70V7288S/L

64K x 16 BANK-SWITCHABLE

DUAL-PORTED SRAM WITH

EXTERNAL BANK SELECTS

Features

◆

64K x 16 Bank-Switchable Dual-Ported SRAM Architecture

– Four independent 16K x 16 banks

Interrupt flags with programmable masking

Dual Chip Enables allow for depth expansion without

external logic

UB and LB are available for x8 or x16 bus matching

LVTTL-compatible, single 3.3V (±5%) power supply

Available in a 100-pin Thin Quad Flatpack (14mm x 14mm)

Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is available

for selected speeds

◆

– 1 Megabit of memory on chip

◆

Fast asynchronous address-to-data access time: 15ns

User-controlled input pins included for bank selects

Independentportcontrols withasynchronous address &data

busses

◆

Four 16-bit mailboxes available to each port for inter-

processor communications; interrupt option

Functional Block Diagram

MUX

R/W^L

CE0L

CE1L

UBL

LB^L

R/WR

CE^0R

CE1R

UBR

LB^R

16Kx16

MEMORY

ARRAY

CONTROL

LOGIC

CONTROL

LOGIC

(BANK 0)

OEL

OER

MUX

I/O

CONTROL

I/O

CONTROL

I/O8L-15L

I/O0L-7L

I/O8R-15R

I/O0R-7R

16Kx16

MEMORY

ARRAY

(BANK 1)

A13L

A13R

ADDRESS

DECODE

ADDRESS

DECODE

(1)

A0L

A0R

MUX

BA1R

BA0R

BA1L

BA0L

BANK

DECODE

BANK

DECODE

MUX

16Kx16

MEMORY

ARRAY

(BANK 3)

MUX

(2)

BKSEL3

BKSEL0

BANK

SELECT

(2)

(1)

A5R

A0R

A5L

A0L

MAILBOX

INTERRUPT

LOGIC

LBR/UBR

OER

LB^L/UB^L

OE^L

R/WR

CER

R/W^L

CE^L

MBSELL

MBSELR

INTR

4077 drw 01

INT^L

NOTES:

1. The first six address pins for each port serve dual functions. When MBSEL = VIH, the pins serve as memory address inputs. When MBSEL = VIL, the pins serve as mailbox

address inputs.

2. Each bank has an input pin assigned that allows the user to toggle the assignment of that bank between the two ports. Refer to Truth Table I for more details.

JUNE 2000

DSC-4077/6

12 3 4 5 6 7...16

中文翻译

下载PDF

与IDT70V7288S20PF8相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT70V7288S20PF9	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 64KX16, 20ns, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
IDT70V7288S20PFI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 64K x 16 BANK-SWITCHABLE DUAL-PORTED SRAM WITH EXTERNAL BANK SELECTS
IDT70V7288S25PF	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 64K x 16 BANK-SWITCHABLE DUAL-PORTED SRAM WITH EXTERNAL BANK SELECTS
IDT70V7288S25PFI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 64K x 16 BANK-SWITCHABLE DUAL-PORTED SRAM WITH EXTERNAL BANK SELECTS
IDT70V7319S	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.
IDT70V7319S133BC	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.
IDT70V7319S133BC8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 256KX18, 15ns, CMOS, PBGA256, BGA-256
IDT70V7319S133BCI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.
IDT70V7319S133BCI8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 256KX18, 15ns, CMOS, PBGA256, BGA-256
IDT70V7319S133BF	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.

与IDT70V7288S20PF8相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

15
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

18
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

42
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

49

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT70V7288S20PF8

IDT70V7288S20PF8 技术参数

IDT70V7288S20PF8 数据手册

与IDT70V7288S20PF8相关器件

与IDT70V7288S20PF8相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT70V7288S20PF8

IDT70V7288S20PF8 技术参数

IDT70V7288S20PF8 数据手册

与IDT70V7288S20PF8相关器件

与IDT70V7288S20PF8相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？