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IDT70V659S15BFI

更新时间： 2024-10-28 23:01:07
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
23页 194K
描述
HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

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IDT70V659S15BFI 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active零件包装代码：BGA
包装说明：TFBGA, BGA208,17X17,32针数：208
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.15
Is Samacsys：N最长访问时间：15 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：S-PBGA-B208
JESD-609代码：e0长度：15 mm
内存密度：4718592 bit内存集成电路类型：DUAL-PORT SRAM
内存宽度：36湿度敏感等级：3
功能数量：1端口数量：2
端子数量：208字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128KX36输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装等效代码：BGA208,17X17,32封装形状：SQUARE
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：225电源：2.5/3.3,3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.015 A最小待机电流：3.15 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.49 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.45 V最小供电电压 (Vsup)：3.15 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn63Pb37)端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：20宽度：15 mm
Base Number Matches：1

IDT70V659S15BFI 数据手册

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PRELIMINARY  
IDT70V659S  
HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36  
ASYNCHRONOUS DUAL-PORT  
STATIC RAM  
Features  
True Dual-Port memory cells which allow simultaneous  
◆
◆
Full on-chip hardware support of semaphore signaling  
between ports  
Fully asynchronous operation from either port  
Separate byte controls for multiplexed bus and bus  
matching compatibility  
Supports JTAG features compliant to IEEE 1149.1  
LVTTL-compatible, single 3.3V (±150mV) power supply for  
core  
access of the same memory location  
High-speed access  
◆
◆
◆
– Commercial:10/12/15ns (max.)  
– Industrial:12/15ns (max.)  
Dual chip enables allow for depth expansion without  
◆
◆
◆
external logic  
◆
IDT70V659 easily expands data bus width to 72 bits or  
◆
◆
◆
more using the Master/Slave select when cascading more  
than one device  
M/S = VIH for BUSY output flag on Master,  
M/S = VIL for BUSY input on Slave  
Busy and Interrupt Flags  
LVTTL-compatible, selectable 3.3V (±150mV)/2.5V (±100mV)  
power supply for I/Os and control signals on each port  
Available in a 208-pin Plastic Quad Flatpack, 208-ball fine  
pitch Ball Grid Array, and 256-ball Ball Grid Array  
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available  
for selected speeds  
◆
◆
◆
On-chip port arbitration logic  
Functional Block Diagram  
BE  
3
L
BE  
3
2
R
BE  
2
L
BE  
R
BE  
BE  
1
BE  
BE  
1
0
R
L
L
0
R
R/  
W
L
R/  
W
R
B
E
0
L
B
E
1
L
B
E
2
L
B
E
3
L
B
E
3
B
E
2
B
E
1
B
E
0
CE0  
CE0  
R
R
R
R
R
L
CE1  
R
CE1  
L
OE  
OE  
R
L
Dout0-8_L  
Dout0-8_R  
Dout9-17_L  
Dout9-17_R  
Dout18-26_R  
Dout27-35_R  
Dout18-26_L  
Dout27-35_L  
128K x 36  
MEMORY  
ARRAY  
I/O - I/O  
0L 35L  
Di n_L  
Di n_R  
I/O - I/O  
0R 35R  
A
A
16R  
0R  
A16 L  
A0 L  
Address  
Decoder  
Address  
Decoder  
ADDR_L  
ADDR_R  
CE  
CE1  
0
CE  
0
L
R
ARBITRATION  
R
CE1  
INTERRUPT  
SEMAPHORE  
LOGIC  
L
OE  
OE  
R
L
R/W  
L
R/W  
R
BUSY  
BUSY  
R
L
SEM  
M/S  
SEM  
L
R
INT  
INT  
L
R
TMS  
TCK  
TDI  
JTAG  
TDO  
TRST  
4869 drw 01  
NOTES:  
1. BUSY is an input as a Slave (M/S=VIL) and an output when it is a Master (M/S=VIH).  
2. BUSY and INT are non-tri-state totem-pole outputs (push-pull).  
JUNE 2001  
1
DSC-4869/3  
©2001IntegratedDeviceTechnology,Inc.  
1234567...23

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与IDT70V659S15BFI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IDT70V659S15DR IDT

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 		HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V659S15DR8 IDT

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IDT70V659S15DR9 IDT

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 		Dual-Port SRAM, 128KX36, 15ns, CMOS, PQFP208, 28 X 28 MM, 3.50 MM HEIGHT, PLASTIC, QFP-208
IDT70V659S15DRG IDT

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