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IDT70V27S25G

更新时间： 2024-10-27 22:37:07
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
22页 192K
描述
HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM

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IDT70V27S25G 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active零件包装代码：PGA
包装说明：PGA, PGA108,12X12针数：108
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.17
Is Samacsys：N最长访问时间：25 ns
其他特性：INTERRUPT FLAGSI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：S-CPGA-P108JESD-609代码：e0
长度：30.48 mm内存密度：524288 bit
内存集成电路类型：DUAL-PORT SRAM内存宽度：16
功能数量：1端口数量：2
端子数量：108字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：32KX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码：PGA
封装等效代码：PGA108,12X12封装形状：SQUARE
封装形式：GRID ARRAY并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：225电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：5.207 mm
最大待机电流：0.006 A最小待机电流：3 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.245 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：PIN/PEG
端子节距：2.54 mm端子位置：PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：30.48 mm
Base Number Matches：1

IDT70V27S25G 数据手册

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HIGH-SPEED 3.3V  
32K x 16 DUAL-PORT  
STATIC RAM  
IDT70V27S/L  
◆
Features:  
◆
IDT70V27 easily expands data bus width to 32 bits or more  
using the Master/Slave select when cascading more than  
one device  
M/S = VIH for BUSY output flag on Master,  
M/S = VIL for BUSY input on Slave  
Busy and Interrupt Flags  
On-chip port arbitration logic  
Full on-chip hardware support of semaphore signaling  
between ports  
Fully asynchronous operation from either port  
LVTTL-compatible, single 3.3V (±0.3V) power supply  
Available in 100-pin Thin Quad Flatpack (TQFP), 108-pin  
Ceramic Pin Grid Array (PGA), and 144-pin Fine Pitch BGA  
(fpBGA)  
True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous  
access of the same memory location  
High-speed access  
◆
◆
– Industrial:35ns (max.)  
◆
◆
◆
– Commercial:15/20/25/35/55ns(max.)  
Low-power operation  
◆
– IDT70V27S  
Active:500mW(typ.)  
Standby: 3.3mW (typ.)  
– IDT70V27L  
◆
◆
◆
Active:500mW(typ.)  
Standby:660µW(typ.)  
Separate upper-byte and lower-byte control for bus  
◆
◆
matching capability  
Dual chip enables allow for depth expansion without  
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is available  
for selected speeds  
◆
external logic  
FunctionalBlockDiagram  
R/WL  
UBL  
R/WR  
UBR  
CE0L  
CE0R  
CE1L  
CE1R  
OER  
LBR  
OEL  
LBL  
I/O8-15L  
I/O0-7L  
I/O8-15R  
I/O0-7R  
I/O  
Control  
I/O  
Control  
(1,2)  
(1,2)  
BUSY  
L
BUSYR  
32Kx16  
A14R  
A14L  
A0L  
Address  
Decoder  
Address  
Decoder  
MEMORY  
ARRAY  
70V27  
A0R  
A14L  
A14R  
A0R  
CE0R  
A0L  
CE0L  
CE1L  
ARBITRATION  
INTERRUPT  
SEMAPHORE  
LOGIC  
CE1R  
OER  
OEL  
R/WL  
R/WR  
L
L
SEM  
INT  
SEMR  
(2)  
(2)  
INTR  
M/S(2)  
NOTES:  
3603 drw 01  
1) BUSY is an input as a Slave (M/S=VIL) and an output as a Master (M/S=VIH).  
2) BUSY and INT are non-tri-state totem-pole outputs (push-pull).  
JANUARY 2001  
6.011  
DSC 3603/7  
©2000IntegratedDeviceTechnology,Inc.  
1234567...22

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IDT70V27S25GI IDT

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 		HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V27S25PF IDT

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 		HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V27S25PF9 IDT

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IDT70V27S25PFG IDT

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