是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | LFBGA, | 针数: | 144 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.68 |
最长访问时间: | 35 ns | JESD-30 代码: | S-PBGA-B144 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 12 mm |
内存密度: | 524288 bit | 内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 144 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 32KX16 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LFBGA | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.5 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 12 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT70V27S35BFI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V27S35G | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V27S35GI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V27S35PF | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V27S35PF8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 32KX16, 35ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100 | |
IDT70V27S35PF9 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 32KX16, 35ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100 | |
IDT70V27S35PFG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 32KX16, 35ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-100 | |
IDT70V27S35PFGI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 32KX16, 35ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-100 | |
IDT70V27S35PFI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V27S55BF | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |