是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | QFP |
包装说明: | LFQFP, QFP100,.63SQ,20 | 针数: | 100 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.B |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.15 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 20 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | S-PQFP-G100 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 14 mm |
内存密度: | 524288 bit | 内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度: | 16 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 100 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 32KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LFQFP |
封装等效代码: | QFP100,.63SQ,20 | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.6 mm |
最大待机电流: | 0.006 A | 最小待机电流: | 3 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.23 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 14 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT70V27L20PFI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V27L20PFI8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 32KX16, 20ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100 | |
IDT70V27L25BF | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V27L25BFG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 32KX16, 25ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, FBGA-144 | |
IDT70V27L25BFI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V27L25G | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V27L25GI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V27L25PF | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT70V27L25PF9 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 32KX16, 25ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100 | |
IDT70V27L25PFG | IDT |
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暂无描述 |