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IDT70V05L55G

更新时间： 2024-10-28 23:01:07

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艾迪悌 - IDT		存储内存集成电路静态存储器
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描述
HIGH-SPEED 3.3V 8K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM

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IDT70V05L55G 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	PGA
包装说明：	1.180 X 1.180 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, CERAMIC, PGA-68	针数：	68
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.43
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	55 ns
其他特性：	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	S-CPGA-P68	JESD-609代码：	e0
长度：	29.464 mm	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	2
端子数量：	68	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	8KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	PGA
封装等效代码：	PGA68,11X11	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.207 mm
最大待机电流：	0.005 A	最小待机电流：	3 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.155 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	PIN/PEG
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	29.464 mm
Base Number Matches：	1

IDT70V05L55G 数据手册

IDT70V05S/L

HIGH-SPEED 3.3V

8K x 8 DUAL-PORT

STATIC RAM

Integrated Device Technology, Inc.

• On-chip port arbitration logic

• Full on-chip hardware support of semaphore signaling

between ports

• Fully asynchronous operation from either port

• Devices are capable of withstanding greater than 2001V

electrostatic discharge

FEATURES:

• True Dual-Ported memory cells which allow simulta-

neous access of the same memory location

• High-speed access

— Commercial: 25/35/55ns (max.)

• Low-power operation

• Battery backup operation—2V data retention

— IDT70V05S

•

LVTTL-compatible, single 3.3V (±0.3V) power supply

Active: 350mW (typ.)

Standby: 3.5mW (typ.)

— IDT70V05L

• Available in 68-pin PGA, 68-pin PLCC, and a 64-pin

TQFP

Active: 350mW (typ.)

Standby: 1mW (typ.)

DESCRIPTION:

• IDT70V05 easily expands data bus width to 16 bits or

more using the Master/Slave select when cascading

more than one device

• M/S = H for BUSY output flag on Master

M/S = L for BUSY input on Slave

• Busy and Interrupt Flags

The IDT70V05 is a high-speed 8K x 8 Dual-Port Static

RAM. The IDT70V05 is designed to be used as a stand-alone

Dual-Port RAM or as a combination MASTER/SLAVE Dual-

Port RAM for 16-bit-or-more word systems. Using the IDT

MASTER/SLAVE Dual-Port RAM approach in 16-bit or wider

memory system applications results in full-speed, error-free

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

OER

OEL

CEL

CER

R/W

R/WR

I/O0L- I/O7L

I/O0R-I/O7R

(1,2)

I/O

Control

I/O

Control

BUSY ^(1,2)

BUSY

12L

12R

Address

Decoder

MEMORY

ARRAY

Address

Decoder

ARBITRATION

INTERRUPT

SEMAPHORE

LOGIC

NOTES:

R/W

1. (MASTER):

BUSY is output;

(SLAVE): BUSY

is input.

R/W

2. BUSY outputs

and INT outputs

are non-tri-

SEM

(2)

INT ⁽²⁾

INTR

stated push-pull.

M/S

2941 drw 01

The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.

COMMERCIAL TEMPERATURE RANGE

OCTOBER 1996

For latest information contact IDT’s web site at www.idt.com or fax-on-demand at 408-492-8391.

DSC-2941/3

6.35

12 3 4 5 6 7...17

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IDT70V05L55GI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 8K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V05L55J	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 8K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V05L55J8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC,
IDT70V05L55JG8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC,
IDT70V05L55JGI	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68
IDT70V05L55JI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 8K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V05L55PF	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 8K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V05L55PF8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-64
IDT70V05L55PF9	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-64
IDT70V05L55PFG8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100

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