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IDT70824S35GB PDF预览

IDT70824S35GB

更新时间： 2024-11-13 22:38:31
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
21页 205K
描述
HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)

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IDT70824S35GB 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：PGA
包装说明：PGA-84针数：84
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：3A001.A.2.C
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.91
Is Samacsys：N最长访问时间：35 ns
JESD-30 代码：S-CPGA-P84JESD-609代码：e0
长度：27.94 mm内存密度：65536 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：84
字数：4096 words字数代码：4000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C组织：4KX16
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码：PGA
封装等效代码：PGA84M,11X11封装形状：SQUARE
封装形式：GRID ARRAY并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：225电源：5 V
认证状态：Not Qualified筛选级别：MIL-PRF-38535
座面最大高度：5.207 mm最大待机电流：0.03 A
子类别：Other Memory ICs最大压摆率：0.4 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：PIN/PEG
端子节距：2.54 mm端子位置：PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：27.94 mm
Base Number Matches：1

IDT70824S35GB 数据手册

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HIGH SPEED 64K (4K X 16 BIT)  
SEQUENTIAL ACCESS  
IDT70824S/L  
RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM™)  
Features  
◆
◆
High-speed access  
Compatible with Intel BMIC and 82430 PCI Set  
Width and Depth Expandable  
Sequential side  
– Address based flags for buffer control  
◆
– Military:35/45ns(max.)  
◆
– Commercial:20/25/35/45ns(max.)  
Low-power operation  
◆
– IDT70824S  
– Pointer logic supports up to two internal buffers  
Battery backup operation - 2V data retention  
TTL-compatible, single 5V (+10%) power supply  
Available in 80-pin TQFP and 84-pin PGA  
Military product compliant to MIL-PRF-38535 QML  
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available  
for selected speeds  
◆
Active:775mW(typ.)  
Standby: 5mW (typ.)  
– IDT70824L  
◆
◆
◆
Active:775mW(typ.)  
Standby: 1mW (typ.)  
◆
◆
™
4Kx16SequentialAccess RandomAccess Memory (SARAM )  
– Sequential Access from one port and standard Random  
Access from the other port  
– Separate upper-byte and lower-byte control of the  
RandomAccessPort  
High speed operation  
– 20ns tAA for random access port  
– 20ns tCD for sequential port  
Description  
TheIDT70824isahigh-speed4Kx16-BitSequentialAccessRandom  
AccessMemory(SARAM).TheSARAMoffersasingle-chipsolutionto  
bufferdatasequentiallyononeport,andbeaccessedrandomly(asyn-  
chronously) through the other port. The device has a Dual-Port RAM  
based architecture with a standard SRAM interface for the random  
(asynchronous) access port, and a clocked interface with counter se-  
◆
◆
– 25nsclockcycletime  
Architecture based on Dual-Port RAM cells  
FunctionalBlockDiagram  
12  
RST  
SCLK  
CNTEN  
A0-11  
CE  
OE  
Random  
Sequential  
SOE  
Access  
Access  
SSTRT1  
Port  
R/W  
Port  
Controls  
LB LSB  
UB MSB  
SSTRT2  
Controls  
SCE  
SR/W  
SLD  
4K X 16  
Memory  
Array  
CMD  
16  
16  
16  
DataR  
AddrR  
Reg.  
12  
DataL  
AddrL  
I/O0-15  
SI/O0-15  
,
12  
12  
RST  
12  
Pointer/  
Counter  
12  
12  
Start Address for Buffer #1  
End Address for Buffer #1  
Start Address for Buffer #2  
End Address for Buffer #2  
Flow Control Buffer  
Flag Status  
12  
EOB1  
EOB2  
COMPARATOR  
3099 drw 01  
APRIL 2000  
1
©2000IntegratedDeviceTechnology,Inc.  
DSC-3099/5  
6.07  
1234567...21

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与IDT70824S35GB相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IDT70824S35GG IDT

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 		Standard SRAM, 4KX16, 35ns, CMOS, CPGA84, PGA-84
IDT70824S35GI IDT

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