是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | PGA |
包装说明: | PGA-84 | 针数: | 84 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.91 |
最长访问时间: | 45 ns | JESD-30 代码: | S-CPGA-P84 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 27.94 mm |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 84 | 字数: | 4096 words |
字数代码: | 4000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 4KX16 | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | PGA | 封装等效代码: | PGA84M,11X11 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | GRID ARRAY |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | MIL-PRF-38535 | 座面最大高度: | 5.207 mm |
最大待机电流: | 0.03 A | 子类别: | Other Memory ICs |
最大压摆率: | 0.4 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | PIN/PEG | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | PERPENDICULAR | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 27.94 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT70824S45GG | IDT |
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Standard SRAM, 4KX16, 45ns, CMOS, CPGA84, PGA-84 | |
IDT70824S45GI | IDT |
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HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM A | |
IDT70824S45PF | IDT |
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HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM A | |
IDT70824S45PF8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 4KX16, 45ns, CMOS, PQFP80, TQFP-80 | |
IDT70824S45PFB | IDT |
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HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM A | |
IDT70824S45PFBG | IDT |
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Standard SRAM, 4KX16, 45ns, CMOS, PQFP80, TQFP-80 | |
IDT70824S45PFG8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 4KX16, 45ns, CMOS, PQFP80, TQFP-80 | |
IDT70824S45PFI | IDT |
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HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM A | |
IDT70825L | IDT |
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HIGH-SPEED 8K x 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM A | |
IDT70825L20G | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 8K x 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM A |