是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFP |
包装说明: | TQFP-80 | 针数: | 80 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.87 |
最长访问时间: | 45 ns | JESD-30 代码: | S-PQFP-G80 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 14 mm |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 16 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 80 |
字数: | 4096 words | 字数代码: | 4000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 4KX16 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LQFP |
封装等效代码: | QFP80,.64SQ | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | MIL-PRF-38535 |
座面最大高度: | 1.6 mm | 最大待机电流: | 15 A |
子类别: | Other Memory ICs | 最大压摆率: | 0.34 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.65 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 | 宽度: | 14 mm |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT70824S45PFBG | IDT |
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Standard SRAM, 4KX16, 45ns, CMOS, PQFP80, TQFP-80 | |
IDT70824S45PFG8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 4KX16, 45ns, CMOS, PQFP80, TQFP-80 | |
IDT70824S45PFI | IDT |
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HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM A | |
IDT70825L | IDT |
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HIGH-SPEED 8K x 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM A | |
IDT70825L20G | IDT |
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HIGH-SPEED 8K x 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM A | |
IDT70825L20GB | IDT |
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HIGH-SPEED 8K x 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM A | |
IDT70825L20PF | IDT |
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HIGH-SPEED 8K x 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM A | |
IDT70825L20PF8 | IDT |
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Standard SRAM, 8KX16, 20ns, CMOS, PQFP80, TQFP-80 | |
IDT70825L20PF9 | IDT |
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Standard SRAM, 8KX16, 20ns, CMOS, PQFP80, TQFP-80 | |
IDT70825L20PFB | IDT |
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HIGH-SPEED 8K x 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM A |