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IDT70824L35PF

更新时间： 2024-11-13 22:35:35
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
21页 205K
描述
HIGH-SPEED 4K X 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)

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IDT70824L35PF 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：QFP包装说明：TQFP-80
针数：80Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.91Is Samacsys：N
最长访问时间：35 nsJESD-30 代码：S-PQFP-G80
JESD-609代码：e0长度：14 mm
内存密度：65536 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：16湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：80
字数：4096 words字数代码：4000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：4KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LQFP
封装等效代码：QFP80,.64SQ封装形状：SQUARE
封装形式：FLATPACK, LOW PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：240电源：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.6 mm
最大待机电流：0.0015 A子类别：Other Memory ICs
最大压摆率：0.29 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：20
宽度：14 mmBase Number Matches：1

IDT70824L35PF 数据手册

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HIGH SPEED 64K (4K X 16 BIT)  
SEQUENTIAL ACCESS  
IDT70824S/L  
RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM™)  
Features  
◆
◆
High-speed access  
Compatible with Intel BMIC and 82430 PCI Set  
Width and Depth Expandable  
Sequential side  
– Address based flags for buffer control  
◆
– Military:35/45ns(max.)  
◆
– Commercial:20/25/35/45ns(max.)  
Low-power operation  
◆
– IDT70824S  
– Pointer logic supports up to two internal buffers  
Battery backup operation - 2V data retention  
TTL-compatible, single 5V (+10%) power supply  
Available in 80-pin TQFP and 84-pin PGA  
Military product compliant to MIL-PRF-38535 QML  
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available  
for selected speeds  
◆
Active:775mW(typ.)  
Standby: 5mW (typ.)  
– IDT70824L  
◆
◆
◆
Active:775mW(typ.)  
Standby: 1mW (typ.)  
◆
◆
™
4Kx16SequentialAccess RandomAccess Memory (SARAM )  
– Sequential Access from one port and standard Random  
Access from the other port  
– Separate upper-byte and lower-byte control of the  
RandomAccessPort  
High speed operation  
– 20ns tAA for random access port  
– 20ns tCD for sequential port  
Description  
TheIDT70824isahigh-speed4Kx16-BitSequentialAccessRandom  
AccessMemory(SARAM).TheSARAMoffersasingle-chipsolutionto  
bufferdatasequentiallyononeport,andbeaccessedrandomly(asyn-  
chronously) through the other port. The device has a Dual-Port RAM  
based architecture with a standard SRAM interface for the random  
(asynchronous) access port, and a clocked interface with counter se-  
◆
◆
– 25nsclockcycletime  
Architecture based on Dual-Port RAM cells  
FunctionalBlockDiagram  
12  
RST  
SCLK  
CNTEN  
A0-11  
CE  
OE  
Random  
Sequential  
SOE  
Access  
Access  
SSTRT1  
Port  
R/W  
Port  
Controls  
LB LSB  
UB MSB  
SSTRT2  
Controls  
SCE  
SR/W  
SLD  
4K X 16  
Memory  
Array  
CMD  
16  
16  
16  
DataR  
AddrR  
Reg.  
12  
DataL  
AddrL  
I/O0-15  
SI/O0-15  
,
12  
12  
RST  
12  
Pointer/  
Counter  
12  
12  
Start Address for Buffer #1  
End Address for Buffer #1  
Start Address for Buffer #2  
End Address for Buffer #2  
Flow Control Buffer  
Flag Status  
12  
EOB1  
EOB2  
COMPARATOR  
3099 drw 01  
APRIL 2000  
1
©2000IntegratedDeviceTechnology,Inc.  
DSC-3099/5  
6.07  
1234567...21

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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