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IDT70101L25L52B

更新时间: 2024-11-11 15:34:39
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
15页 786K
描述
Multi-Port SRAM, 1KX9, 25ns, CMOS, CQCC52

IDT70101L25L52B 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.92最长访问时间:25 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:S-XQCC-N52
JESD-609代码:e0内存密度:9216 bit
内存集成电路类型:MULTI-PORT SRAM内存宽度:9
端口数量:2端子数量:52
字数:1024 words字数代码:1000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:1KX9
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC
封装代码:QCCN封装等效代码:LCC52,.75SQ
封装形状:SQUARE封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):260
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:38535Q/M;38534H;883B子类别:SRAMs
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:6Base Number Matches:1

IDT70101L25L52B 数据手册

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