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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | LCC |
| 包装说明： | PLASTIC, LCC-52 | 针数： | 52 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.52 |
| 最长访问时间： | 35 ns | JESD-30 代码： | S-PQCC-J52 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 19.1262 mm |
| 内存密度： | 9216 bit | 内存集成电路类型： | MULTI-PORT SRAM |
| 内存宽度： | 9 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 52 |
| 字数： | 1024 words | 字数代码： | 1000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 1KX9 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QCCJ |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 4.57 mm |
| 最小待机电流： | 2 V | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 19.1262 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT70101L35L52 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX9, 35ns, CMOS, CQCC52, LCC-52 |
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| IDT70101L35L52B | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX9, 35ns, CMOS, CQCC52, LCC-52 |
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| IDT70101L45J | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX9, 45ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 |
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| IDT70101L45J8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX9, 45ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 |
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| IDT70101L45JG8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX9, 45ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 |
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| IDT70101L45L52 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX9, 45ns, CMOS, CQCC52, LCC-52 |
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| IDT70101L45L52B | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX9, 45ns, CMOS, CQCC52, LCC-52 |
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| IDT70101L55J | ETC |
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x9 Dual-Port SRAM |
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| IDT70101L55J8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX9, 55ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 |
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| IDT70101L55JG8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX9, 55ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 |
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