是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | LCC | 包装说明: | PLASTIC, LCC-52 |
针数: | 52 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.8 | 最长访问时间: | 45 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | S-PQCC-J52 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 19.1262 mm |
内存密度: | 9216 bit | 内存集成电路类型: | MULTI-PORT SRAM |
内存宽度: | 9 | 湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 52 | 字数: | 1024 words |
字数代码: | 1000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 1KX9 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QCCJ | 封装等效代码: | LDCC52,.8SQ |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 4.57 mm |
最大待机电流: | 0.015 A | 最小待机电流: | 4.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.245 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
宽度: | 19.1262 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT70101S45JG8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX9, 45ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 | |
IDT70101S45L52 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX9, 45ns, CMOS, CQCC52, LCC-52 | |
IDT70101S45L52B | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX9, 45ns, CMOS, CQCC52, LCC-52 | |
IDT70101S55J | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX9, 55ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 | |
IDT70101S55L52 | ETC |
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x9 Dual-Port SRAM | |
IDT70101S55L52B | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX9, 55ns, CMOS, CQCC52, LCC-52 | |
IDT70101S70L52B | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX9, 70ns, CMOS, CQCC52, LCC-52 | |
IDT70104L20P | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX9, 20ns, CMOS, PDIP48 | |
IDT70104L25C | ETC |
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x9 Dual-Port SRAM | |
IDT70104L25F | ETC |
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x9 Dual-Port SRAM |