是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | LCC |
包装说明: | LCC-52 | 针数: | 52 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 35 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-CQCC-N52 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 19.05 mm | 内存密度: | 9216 bit |
内存集成电路类型: | MULTI-PORT SRAM | 内存宽度: | 9 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 52 | 字数: | 1024 words |
字数代码: | 1000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 1KX9 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | QCCN | 封装等效代码: | LCC52,.75SQ |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 2.2098 mm | 最大待机电流: | 0.015 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.25 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 19.05 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT70101S35L52B | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX9, 35ns, CMOS, CQCC52, LCC-52 | |
IDT70101S45J | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX9, 45ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 | |
IDT70101S45JG8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX9, 45ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 | |
IDT70101S45L52 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX9, 45ns, CMOS, CQCC52, LCC-52 | |
IDT70101S45L52B | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX9, 45ns, CMOS, CQCC52, LCC-52 | |
IDT70101S55J | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX9, 55ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 | |
IDT70101S55L52 | ETC |
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x9 Dual-Port SRAM | |
IDT70101S55L52B | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX9, 55ns, CMOS, CQCC52, LCC-52 | |
IDT70101S70L52B | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX9, 70ns, CMOS, CQCC52, LCC-52 | |
IDT70104L20P | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX9, 20ns, CMOS, PDIP48 |