是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOJ | 包装说明: | 0.300 INCH, SOJ-28 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.85 | 最长访问时间: | 45 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-J28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 17.9324 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 4 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 65536 words |
字数代码: | 64000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 64KX4 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOJ | 封装等效代码: | SOJ28,.34 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.556 mm |
最大待机电流: | 0.03 A | 最小待机电流: | 4.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.15 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 7.5184 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT61298S55CB | ETC |
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x4 SRAM | |
IDT61298S55L28B | ETC |
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x4 SRAM | |
IDT61298S55L28B8 | IDT |
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Standard SRAM, 64KX4, 55ns, CMOS, CQCC28, LCC-28 | |
IDT61298S55P | ETC |
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x4 SRAM | |
IDT61298S55TCB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX4, 55ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, DIP-28 | |
IDT61298S55Y | ETC |
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x4 SRAM | |
IDT61298S70CB | ETC |
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x4 SRAM | |
IDT61298SA | IDT |
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CMOS STATIC RAM 256K (64K x 4-BIT) | |
IDT61298SA_07 | IDT |
获取价格 |
CMOS Static RAM 256K (64K x 4-Bit) | |
IDT61298SA12TC | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX4, 12ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, DIP-28 |