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IDT61298S55L28B8

更新时间: 2024-11-06 14:27:51
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 211K
描述
Standard SRAM, 64KX4, 55ns, CMOS, CQCC28, LCC-28

IDT61298S55L28B8 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:QLCC
包装说明:QCCN,针数:28
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.85
最长访问时间:55 nsJESD-30 代码:R-CQCC-N28
JESD-609代码:e0长度:13.97 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:64KX4
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:QCCN
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):225
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3.048 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:TIN LEAD端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:30宽度:8.89 mm
Base Number Matches:1

IDT61298S55L28B8 数据手册

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