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IDT61298SA20L8

更新时间: 2024-11-10 08:45:15
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艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 193K
描述
Standard SRAM, 64KX4, 20ns, CMOS, CQCC28, 0.300 INCH, LCC-28

IDT61298SA20L8 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:QLCC
包装说明:QCCN,针数:28
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.87
最长访问时间:20 nsJESD-30 代码:R-CQCC-N28
JESD-609代码:e0长度:13.97 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64KX4
可输出:YES封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:QCCN封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.048 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:8.89 mm

IDT61298SA20L8 数据手册

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