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IBM11T8645HP-60T PDF预览

IBM11T8645HP-60T

更新时间： 2024-10-29 21:20:39
品牌 Logo 应用领域
国际商业机器公司 - IBM 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
32页 903K
描述
EDO DRAM Module, 8MX64, 60ns, CMOS

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IBM11T8645HP-60T 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：DIMM, DIMM144,32
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.28风险等级：5.84
访问模式：FAST PAGE WITH EDO最长访问时间：60 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESHI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-XDMA-N144内存密度：536870912 bit
内存集成电路类型：EDO DRAM MODULE内存宽度：64
功能数量：1端口数量：1
端子数量：144字数：8388608 words
字数代码：8000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：8MX64输出特性：3-STATE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：DIMM
封装等效代码：DIMM144,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：8192
自我刷新：YES最大待机电流：0.0017 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.92 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：NO LEAD端子节距：0.8 mm
端子位置：DUALBase Number Matches：1

IBM11T8645HP-60T 数据手册

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Discontinued (9/98 - last order; 3/99 last ship)  
IBM0118180M 1M  
x 1810/10, 5.0V, LP, SR. IBM0118180P1M x 1810/10, 3.3V, LP, SR.  
IBM11T8645HP  
8M x 64 144 PIN SO DIMM  
Features  
• 144 Pin JEDEC Standard, 8 Byte Small Outline  
Dual In-line Memory Module with 8 Byte busses  
• Au contacts  
• Optimized for byte-write non-parity applications  
• System Performance Benefits:  
• 8Mx64 Extended Data Out SO DIMM  
• Performance:  
- Reduced noise (18 V /18V pins)  
SS  
CC  
- Byte write, byte read accesses  
- Serial PDs  
-50  
-60  
tRAC  
tCAC  
tAA  
RAS Access Time  
CAS Access Time  
Access Time From Address  
Cycle Time  
60ns  
70ns  
• Extended Data Out (EDO) Mode, Read-Modify-  
Write Cycles  
13ns  
25ns  
15ns  
30ns  
• Refresh Modes: RAS-Only, CBR Hidden  
Refresh, and Self Refresh  
tRC  
84ns 104ns  
20ns 25ns  
tHPC  
EDO Mode Cycle Time  
• 4096 refresh cycles distributed across 128ms  
• 12/11 addressing (Row/Column)  
• Card size: 2.66" x 1.0" x 0.149"  
• DRAMS in TSOP Package  
• All inputs and outputs are LVTTL (3.3V) compat-  
ible  
• Single 3.3V ± 0.3V Power Supply  
Description  
IBM11T8645HP is an industry standard 144-pin  
8-byte Small Outline Dual In-line Memory Module  
(SO DIMM) which is organized as an 8Mx64 high  
speed memory array designed for use in non-parity  
applications. The SO DIMM uses 8 8Mx8 EDO  
DRAMs in TSOP packages. The use of EDO  
DRAMs allows for a reduction in Page Mode Cycle  
time from 40ns (Fast Page) to 15ns for 60ns EDO  
modules.  
chronously clock data between the master (for  
example, the System Microprocessor) and the slave  
EEPROM device. The device address for the  
EEPROM is set to zero at the card. The first 128  
bytes are utilized by the SO DIMM manufacturer,  
and the second 128 bytes are available to the end  
user.  
All IBM 144-pin SO DIMMs provide a high perfor-  
mance, flexible 8-byte interface in a 2.66" long  
space-saving footprint. Related products are the  
1Mx64, 2Mx64, 4Mx64 and the x72 (ECC) SO  
DIMMs.  
This card uses Serial Presence Detects (SPDs)  
implemented via a serial EEPROM using the two pin  
2
I C Protocol. This communication protocol uses  
CLOCK (SCL) and DATA I/O (SDA) lines to syn-  
Card Outline  
(Front)  
(Back)  
1
2
59 61  
60 62  
143  
144  
©IBM Corporation. All rights reserved.  
Use is further subject to the provisions at the end of this document.  
75H3164  
GA14-4479-02  
Rev 11/97  
1234567...32

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