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IBM11T2645NP-60T

更新时间: 2024-10-28 20:41:15
品牌 Logo 应用领域
国际商业机器公司 - IBM 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
32页 1176K
描述
EDO DRAM Module, 2MX64, 60ns, CMOS, DIMM-144

IBM11T2645NP-60T 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIMM
包装说明:DIMM, DIMM144,32针数:144
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:FAST PAGE WITH EDO最长访问时间:60 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDMA-N144内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM MODULE内存宽度:64
功能数量:1端口数量:1
端子数量:144字数:2097152 words
字数代码:2000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:2MX64输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM144,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
自我刷新:YES最大待机电流:0.0009 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.3 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:0.8 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

IBM11T2645NP-60T 数据手册

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