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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DIMM, DIMM144,32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.84 |
| 访问模式： | FAST PAGE WITH EDO | 最长访问时间： | 60 ns |
| 其他特性： | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-XDMA-N144 | 内存密度： | 67108864 bit |
| 内存集成电路类型： | EDO DRAM MODULE | 内存宽度： | 64 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 144 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 1MX64 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | DIMM |
| 封装等效代码： | DIMM144,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 1024 |
| 座面最大高度： | 25.4 mm | 自我刷新： | YES |
| 最大待机电流： | 0.0009 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.66 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | MOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IBM11T1645LP-6RT | IBM |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 1MX64, 60ns, MOS |
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| IBM11T1645LPA-60 | ETC |
获取价格 |
x64 EDO Page Mode DRAM Module |
|
| IBM11T1645LPA-70 | ETC |
获取价格 |
x64 EDO Page Mode DRAM Module |
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| IBM11T1645NP-60T | IBM |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 1MX64, 60ns, CMOS, DIMM-144 |
|
| IBM11T1645NP-6RT | IBM |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 1MX64, 60ns, CMOS, DIMM-144 |
|
| IBM11T2640HP-60 | ETC |
获取价格 |
x64 Fast Page Mode DRAM Module |
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| IBM11T2640HP-60T | ETC |
获取价格 |
x64 Fast Page Mode DRAM Module |
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| IBM11T2640HP-70 | ETC |
获取价格 |
x64 Fast Page Mode DRAM Module |
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| IBM11T2640HP-70T | ETC |
获取价格 |
x64 Fast Page Mode DRAM Module |
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| IBM11T2645HPA-60 | ETC |
获取价格 |
x64 EDO Page Mode DRAM Module |
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