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IBM0625804GT3A-12

更新时间： 2024-09-20 20:08:51

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IBM0625804GT3A-12 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSSOP, TSSOP66,.46	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	最大时钟频率 (fCLK)：	125 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G66	JESD-609代码：	e0
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	8	端子数量：	66
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP66,.46	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
连续突发长度：	2,4,8	最大待机电流：	0.02 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.11 mA
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.635 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...67

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IBM0625804GT3B-10E	IBM	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66
IBM0625804GT3B-75E	IBM	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66
IBM0625804GT3B-8E	IBM	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66
IBM0664404ET3A-10	IBM	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX4, CMOS, PDSO66, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
IBM0664404ET3A-12	IBM	获取价格	Synchronous DRAM, 16MX4, CMOS, PDSO66, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
IBM0664804ET3A-10	IBM	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX8, CMOS, PDSO66, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
IBM0664804ET3A-12	IBM	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX8, CMOS, PDSO66, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
IBM0712161KU1A-60F	IBM	获取价格	Rambus DRAM, 8MX16, CMOS, PBGA62, 1 MM PITCH, MICRO, BGA-62
IBM0712161KU1A-60J	IBM	获取价格	Rambus DRAM, 8MX16, CMOS, PBGA62, 1 MM PITCH, MICRO, BGA-62
IBM0712161KU1A-80B	IBM	获取价格	Rambus DRAM, 8MX16, CMOS, PBGA62, 1 MM PITCH, MICRO, BGA-62