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IBM041840QLAD-6

更新时间： 2024-01-12 16:40:05
品牌 Logo 应用领域
国际商业机器公司 - IBM 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
25页 185K
描述
Standard SRAM, 256KX18, 7.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119

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IBM041840QLAD-6 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Lifetime Buy零件包装代码：BGA
包装说明：BGA, BGA119,7X17,50针数：119
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.55
最长访问时间：7.5 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PBGA-B119JESD-609代码：e0
长度：22 mm内存密度：4718592 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：18
功能数量：1端子数量：119
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：组织：256KX18
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：BGA封装等效代码：BGA119,7X17,50
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：1.5,3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：2.679 mm最大待机电流：0.15 A
最小待机电流：3.14 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.525 mA最大供电电压 (Vsup)：3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：3.135 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：OTHER端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：BALL端子节距：1.27 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：14 mmBase Number Matches：1

IBM041840QLAD-6 数据手册

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IBM041840QLAD  
IBM043640QLAD  
Preliminary  
128K x 36 & 256K x 18 SRAM  
Output Enable Truth Table  
Operation  
Read  
G
L
DQ  
D
0-35  
OUT  
Read  
H
X
X
X
High-Z  
High-Z  
High-Z  
High-Z  
Sleep (ZZ=H)  
Write (SW=L)  
Deselect (SS=H)  
Clock Truth Table  
K, C CLK  
ZZ  
L
SS  
L
SW  
H
L
SBWA  
SBWB  
SBWC  
SBWD  
DQ (n)  
DQ (n+1)  
0-35  
X
Mode  
D
L→H  
X
L
X
H
L
X
H
H
L
X
H
H
H
L
Read Cycle All Bytes  
Write Cycle 1st Byte  
Write Cycle 2nd Byte  
Write Cycle 3rd Byte  
Write Cycle 4th Byte  
Write Cycle All Bytes  
Abort Write Cycle  
Deselect Cycle  
OUT  
D
0-8  
L→H  
L→H  
L→H  
L→H  
L→H  
L→H  
L→H  
X
L
L
High-Z  
High-Z  
High-Z  
High-Z  
High-Z  
High-Z  
High-Z  
High-Z  
IN  
D
9-17  
L
L
L
H
H
H
L
IN  
D
18-26  
27-35  
0-35  
L
L
L
H
H
L
IN  
IN  
D
L
L
L
H
L
D
L
L
L
L
IN  
L
L
L
H
X
X
H
X
X
H
X
X
H
X
X
High-Z  
X
L
H
X
X
X
H
High-Z  
Sleep Mode  
Absolute Maximum Ratings  
Item  
Symbol  
Rating  
Units  
Notes  
Power Supply Voltage  
V
DD  
-0.5 to 3.9  
V
V
1
1
1
1
1
1
Input Voltage  
V
-0.5 to V +0.5  
IN  
DD  
Output Voltage  
V
-0.5 to V +0.5  
V
OUT  
DD  
Operating Temperature  
Output Power Supply Voltage  
Storage Temperature  
T
°C  
V
0 to +110  
J
V
T
V
DDQ  
DD  
°C  
-55 to +125  
STG  
1. Stresses greater than those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a  
stress rating only and functional operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the operational  
sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect reli-  
ability.  
©IBM Corporation. All rights reserved.  
Use is further subject to the provisions at the end of this document.  
50H5021  
Revised 2/99  
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