是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | BGA, BGA119,7X17,50 |
针数: | 119 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.66 | 最长访问时间: | 7 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PBGA-B119 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 22 mm |
内存密度: | 1179648 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 18 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 119 |
字数: | 65536 words | 字数代码: | 64000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 64KX18 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | BGA |
封装等效代码: | BGA119,7X17,50 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 3.3,1.4 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 2.41 mm |
最大待机电流: | 0.025 A | 最小待机电流: | 3.14 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.4 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 14 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IBM041810TLAA-6 | ETC |
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x18 Synchronous SRAM | |
IBM041811QLA-5 | ETC |
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x18 Synchronous SRAM | |
IBM041811QLA-6 | ETC |
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x18 Synchronous SRAM | |
IBM041811QLA-7 | ETC |
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x18 Synchronous SRAM | |
IBM041811QLAB-5 | IBM |
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Standard SRAM, 64KX18, 2.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 | |
IBM041811QLAB-6 | IBM |
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Standard SRAM, 64KX18, 3ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 | |
IBM041811QLAB-7 | IBM |
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Standard SRAM, 64KX18, 3.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 | |
IBM041811RLA-5 | ETC |
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x18 Synchronous SRAM | |
IBM041811RLA-6 | ETC |
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x18 Synchronous SRAM | |
IBM041811RLA-7 | ETC |
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x18 Synchronous SRAM |