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IBM041811QLAB-7

更新时间： 2024-02-21 21:00:24

品牌	Logo	应用领域
国际商业机器公司 - IBM		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
21页	301K
描述
Standard SRAM, 64KX18, 3.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119

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IBM041811QLAB-7 技术参数

生命周期：	Lifetime Buy	零件包装代码：	BGA
包装说明：	BGA, BGA119,7X17,50	针数：	119
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.76
最长访问时间：	3.5 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B119	长度：	22 mm
内存密度：	1179648 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	18	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	119
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64KX18
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装等效代码：	BGA119,7X17,50	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3.3,1.4 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.41 mm	最大待机电流：	0.025 A
最小待机电流：	3.14 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.44 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.15 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

IBM041811QLAB-7 数据手册

IBM043611QLAB

IBM041811QLAB

Preliminary

Features

32K X 36 & 64K X 18 SRAM

• Common I/O

• 32K x 36 or 64K x 18 Organizations

• 0.5 Micron CMOS Technology

• Asynchronous Output Enable and Power Down

Inputs

• Synchronous Pipeline Mode Of Operation with

Self-Timed Late Write

• Boundary Scan using limited set of JTAG 1149.1

functions

• Single Differential GTL/HSTL Clock

• Single +3.3V Power Supply and Ground

• GTL/HSTL Input and Output levels

• Byte Write Capability & Global Write Enable

• 7 X 17 Bump Ball Grid Array Package with

SRAM JEDEC Standard Pinout and Boundary

SCAN Order

• Registered Addresses, Write Enables, Synchro-

nous Select and Data Ins.

• Programmable Impedance Output Drivers

• Registered Outputs

Description

The IBM043611QLA and IBM041811QLA 1Mb

SRAMS are Synchronous Pipeline Mode, high per-

formance CMOS Static Random Access Memories

that are versatile, wide I/O, and achieves 5 nsec

cycle times. Differential K clocks are used to initiate

the read/write operation and all internal operations

are self-timed. At the rising edge of the K Clock, all

Addresses, Write-Enables, Sync Select and Data

Ins are registered internally. Data Outs are updated

from output registers off the next rising edge of the K

clock. An internal Write buffer allows write data to

follow one cycle after addresses and controls. The

chip is operated with a single +3.3V power supply

and is compatible with GTL/HSTL I/O interfaces.

Use is further subject to the provisions at the end of this document.

03H9040

SA14-4659-04

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IBM041811RLA-5	ETC	获取价格	x18 Synchronous SRAM
IBM041811RLA-6	ETC	获取价格	x18 Synchronous SRAM
IBM041811RLA-7	ETC	获取价格	x18 Synchronous SRAM
IBM041811RLAB-5	ETC	获取价格	x18 Synchronous SRAM
IBM041811RLAB-6	ETC	获取价格	x18 Synchronous SRAM
IBM041811RLAB-7	ETC	获取价格	x18 Synchronous SRAM
IBM041811TLAA-4	ETC	获取价格	x18 Fast Synchronous SRAM
IBM041811TLAB-5	IBM	获取价格	Standard SRAM, 64KX18, 2.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
IBM041811TLAB-6	IBM	获取价格	Standard SRAM, 64KX18, 3ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
IBM041811ULAA-5	ETC	获取价格	x18 Fast Synchronous SRAM

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