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IBM041811RLAB-6

更新时间: 2024-01-27 04:43:11
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
20页 1194K
描述
x18 Synchronous SRAM

IBM041811RLAB-6 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Lifetime Buy零件包装代码:BGA
包装说明:BGA, BGA119,7X17,50针数:119
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
Is Samacsys:N最长访问时间:3 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PBGA-B119
JESD-609代码:e0长度:22 mm
内存密度:1179648 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:18功能数量:1
端口数量:1端子数量:119
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64KX18
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:BGA
封装等效代码:BGA119,7X17,50封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:2.41 mm
最大待机电流:0.025 A最小待机电流:3.14 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.5 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3.15 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:BALL
端子节距:1.27 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:14 mm
Base Number Matches:1

IBM041811RLAB-6 数据手册

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