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IBM041812PPLB-11

更新时间: 2024-01-01 21:11:12
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
12页 611K
描述
x18 Fast Synchronous SRAM

IBM041812PPLB-11 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:QCCJ, LDCC52,.8SQReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:11 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:S-PQCC-J52
JESD-609代码:e0内存密度:1179648 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:18
端子数量:52字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:64KX18输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:QCCJ
封装等效代码:LDCC52,.8SQ封装形状:SQUARE
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.025 A最小待机电流:3.14 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.225 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
Base Number Matches:1

IBM041812PPLB-11 数据手册

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