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IBM03164B9CT3-10

更新时间: 2024-10-28 21:15:31
品牌 Logo 应用领域
国际商业机器公司 - IBM 时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
98页 5827K
描述
Synchronous DRAM, 4MX4, 8ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, 2 HIGH STACK, PLASTIC, TSOJ2-44

IBM03164B9CT3-10 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOJ
包装说明:ASOJ, SOJ44,.44,32针数:44
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.92
访问模式:DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间:8 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):100 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-J44
JESD-609代码:e0长度:18.4 mm
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:44
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4MX4
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:ASOJ封装等效代码:SOJ44,.44,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, PIGGYBACK
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
座面最大高度:3.2 mm自我刷新:YES
最大待机电流:0.004 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.175 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.15 mmBase Number Matches:1

IBM03164B9CT3-10 数据手册

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