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IBM03164B9QT3-80

更新时间: 2024-10-28 20:51:27
品牌 Logo 应用领域
国际商业机器公司 - IBM 时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
117页 6913K
描述
Synchronous DRAM Module, 4MX4, 6ns, CMOS, PDSO44

IBM03164B9QT3-80 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SOJ, SOJ44,.44,32Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:6 ns
最大时钟频率 (fCLK):125 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J44JESD-609代码:e0
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度:4端子数量:44
字数:4194304 words字数代码:4000000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4MX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ44,.44,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
最大待机电流:0.0005 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.19 mA标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:0.8 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

IBM03164B9QT3-80 数据手册

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