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IBM0316409CT3E-80

更新时间: 2024-10-28 14:42:43
品牌 Logo 应用领域
国际商业机器公司 - IBM 时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
118页 6827K
描述
Synchronous DRAM, 4MX4, 6ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44

IBM0316409CT3E-80 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2, TSOP44,.46,32
针数:44Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.56Is Samacsys:N
访问模式:DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间:6 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):125 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:1,2,4,8
JESD-30 代码:R-PDSO-G44JESD-609代码:e0
长度:18.41 mm内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM内存宽度:4
功能数量:1端口数量:1
端子数量:44字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4MX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSOP44,.46,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
连续突发长度:1,2,4,8,FP最大待机电流:0.002 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.22 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

IBM0316409CT3E-80 数据手册

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