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IBM0312404CT3B-75D

更新时间: 2024-01-06 04:18:02
品牌 Logo 应用领域
国际商业机器公司 - IBM 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
69页 1067K
描述
Synchronous DRAM, 32MX4, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54

IBM0312404CT3B-75D 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2,针数:54
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.27
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:5.4 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-G54
长度:22.22 mm内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM内存宽度:4
功能数量:1端口数量:1
端子数量:54字数:33554432 words
字数代码:32000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32MX4封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

IBM0312404CT3B-75D 数据手册

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IBM0312164 IBM0312804  
IBM0312404 IBM03124B4  
Advance 0.1  
128Mb Synchronous DRAM - Die Revision B  
Block Diagram (8Mbit x 4 I/O x 4 Bank) x 2-High  
CS0  
CKE0  
CS1  
CKE1  
CK  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
A11-A0  
BS0,BS1  
RAS  
8Mb x 4 I/O x 4 Bank  
CAS  
WE  
DQM  
©IBM Corporation. All rights reserved.  
Use is further subject to the provisions at the end of this document.  
06K7582.H03335  
05/00  
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