HZK4B

更新时间： 2024-09-11 22:07:07

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瑞萨 - RENESAS		稳压二极管齐纳二极管测试
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7页	50K
描述
Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes for Stabilized Power Supply

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HZK4B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	LLD, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.53	其他特性：	LOW LEAKAGE, LOW ZENER IMPEDANCE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	100 Ω	JESD-30 代码：	O-LELF-R2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	3.9 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子形式：	WRAP AROUND
端子位置：	END	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
最大电压容差：	5.13%	工作测试电流：	5 mA
Base Number Matches：	1

HZK Series

Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes for

Stabilized Power Supply

REJ03G0018-0300Z

(Previous: ADE-208-126B)

Rev.3.00

May.14.2003

Features

•

Low leakage, low zener impedance and maximum power dissipation of 500 mW.

Wide spectrum from 1.9V through 38V of zener voltage provide flexible application.

LLD Package is suitable for high density surface mounting and high speed assembly.

Ordering Information

Type No.

Mark

Package Code

HZK Series

Color Code

LLD

Pin Arrangement

Cathode band

3rd. band

2nd. band

Cathode band

1. Cathode

2. Anode

3rd. band

2nd. band

Rev.3.00, May.14.2003, page 1 of 7

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HZK4B1	EIC	获取价格	Zener Diodes
HZK4B2	EIC	获取价格	Zener Diodes
HZK4B3	EIC	获取价格	Zener Diodes
HZK4BLL	RENESAS	获取价格	Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes for Hard Knee Low Noise
HZK4BLL	HITACHI	获取价格	Zener Diode, 3.9V V(Z), 5.13%, 0.25W, Silicon, Unidirectional, LLD, 2 PIN
HZK4BLLTL	RENESAS	获取价格	0.25W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
HZK4BLLTR	RENESAS	获取价格	0.25W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
HZK4BLLTR-E	RENESAS	获取价格	0.25W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
HZK4BTL	HITACHI	获取价格	Zener Diode, 0.5W, Silicon, Unidirectional
HZK4BTL	RENESAS	获取价格	Zener Diode, 0.5W, Silicon, Unidirectional