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HZK4BTR

更新时间: 2024-09-13 07:43:03
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瑞萨 - RENESAS /
页数 文件大小 规格书
4页 149K
描述
0.5W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE

HZK4BTR 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:O-LELF-R2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.68
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:O-LELF-R2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:TIN LEAD
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED工作测试电流:5 mA

HZK4BTR 数据手册

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