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HYR183240G-745

更新时间： 2024-11-10 22:15:07

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英飞凌 - INFINEON		存储内存集成电路动态存储器时钟
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Direct RDRAM RIMM Modules (with 288 Mbit RDRAMs)

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HYR183240G-745 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DMA
包装说明：	DIMM, DIMM184,40	针数：	184
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.32	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	访问模式：	BLOCK ORIENTED PROTOCOL
最长访问时间：	45 ns	其他特性：	SELF CONTAINED REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	711 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N184	内存密度：	603979776 bit
内存集成电路类型：	RAMBUS DRAM MODULE	内存宽度：	18
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	184	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
组织：	32MX18	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM184,40	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	电源：	1.8/2.5,2.5 V
认证状态：	Not Qualified	自我刷新：	YES
子类别：	DRAMs	最大供电电压 (Vsup)：	2.63 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.37 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

HYR183240G-745 数据手册

HYR16xx40G / HYR18xx40G

Rambus RIMM Modules

Direct RDRAM RIMM Modules

(with 288 Mbit RDRAMs)

Overview

The Direct Rambus^™RIMM^™module is a general purpose high-performance memory subsystem

suitable for use in a broad range of applications including computer memory, personal computers,

workstations, and other applications where high bandwidth and low latency are required.

The Direct Rambus RIMM module consists of 288 Mbit Direct Rambus DRAM (Direct RDRAM™)

devices. These are extremely high-speed CMOS DRAMs organized as 16M words by 18 bits. The

use of Rambus Signaling Level (RSL) technology permits 600 MHz to 800 MHz transfer rates while

using conventional system and board design technologies. Direct RDRAM devices are capable of

sustained data transfers at 1.25 ns per two bytes (10 ns per sixteen bytes).

The RDRAM architecture enables the highest sustained bandwidth for multiple, simultaneous,

randomly addressed, memory transactions. The separate control and data buses with independent

row and column control yield over 95% bus efficiency. The RDRAM's 32-bank architecture supports

up to four simultaneous transactions per device.

Form Factor

The Rambus RIMM modules are offered in a 184-pad 1 mm edge connector pad pitch form factor

suitable for 184 contact RIMM connectors. The RIMM module is suitable for desktop and other

system applications. The next figure shows an eight device Rambus RIMM module without heat

spreader.

Features

• High speed 800, 711 & 600 MHz RDRAM

• Gold plated edge connector pad contacts

• Serial Presence Detect (SPD) support

• Operates from a 2.5 V supply (± 5%)

storage

• 184 edge connector pads with 1 mm pad

spacing

• Low power and powerdown self refresh

• Maximum module PCB size:

133.5 mm × 31.75 mm × 1.37 mm

(5.25” × 1.25” × 0.05”)

modes

• Separate Row and Column buses for higher

efficiency

• Each RDRAM has 32 banks, for a total of

512, 256,128 or 64 banks on each 512/

576 MB, 256/288MB,128/144 or 64/72 MB

module respectively.

Fig.1 : Rambus RIMM module

(without heat spreader)

INFINEON Technologies

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