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HYS64D128021EBDL-5-B

更新时间: 2024-11-11 14:51:15
品牌 Logo 应用领域
奇梦达 - QIMONDA 时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
28页 781K
描述
DDR DRAM Module, 128MX64, 0.5ns, CMOS, PDMA200, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200

HYS64D128021EBDL-5-B 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:MODULE包装说明:DIMM, DIMM200,24
针数:200Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.36
风险等级:5.71Is Samacsys:N
访问模式:DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间:0.5 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):200 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDMA-N200
JESD-609代码:e3内存密度:8589934592 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM MODULE内存宽度:64
功能数量:1端口数量:1
端子数量:200字数:134217728 words
字数代码:128000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128MX64输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIMM
封装等效代码:DIMM200,24封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:2.6 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192自我刷新:YES
最大待机电流:0.06 A子类别:DRAMs
最大压摆率:2.86 mA最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.5 V标称供电电压 (Vsup):2.6 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:NO LEAD端子节距:0.6 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

HYS64D128021EBDL-5-B 数据手册

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Data Sheet, Rev. 1.0, Jul. 2004  
HYS64D128021[G/H/E]BDL–5–B  
HYS64D128021[G/H/E]BDL–6–B  
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SO-DIMM  
DDR SDRAM  
Memory Products  
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