Datasheet > HYB25D128323C-4.5

HYB25D128323C-4.5

更新时间： 2024-11-11 22:36:07

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HYB25D128323C-4.5 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LFBGA, BGA144,12X12,32
针数：	128	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.84	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.7 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	222 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	S-PBGA-B128
JESD-609代码：	e0	长度：	11 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	32	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	128
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX32
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LFBGA	封装等效代码：	BGA144,12X12,32
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.5 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	2,4,8	最大待机电流：	0.05 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.32 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.63 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.38 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	11 mm
Base Number Matches：	1

Data Sheet, V1.7, July 2003

HYB25D128323C[-3/-3.3]

HYB25D128323C[-3.6/L3.6]

HYB25D128323C[-4.5/L4.5]

HYB25D128323C-5

128 Mbit DDR SGRAM

Memory Products

N e v e r s t o p t h i n k i n g .

12 3 4 5 6 7...53

中文翻译

下载PDF