是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | BGA, BGA60,8X12,40/32 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 0.5 ns |
最大时钟频率 (fCLK): | 166 MHz | I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 2,4,8 | JESD-30 代码: | R-PBGA-B60 |
内存密度: | 134217728 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM |
内存宽度: | 4 | 端子数量: | 60 |
字数: | 33554432 words | 字数代码: | 32000000 |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 32MX4 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | BGA |
封装等效代码: | BGA60,8X12,40/32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY | 电源: | 2.5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 4096 |
连续突发长度: | 2,4,8 | 最大待机电流: | 0.0045 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.215 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HYB25D128400CE-6 | QIMONDA |
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128-Mbit Double-Data-Rate SDRAM | |
HYB25D128400CE-6 | INFINEON |
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128 Mbit Double Data Rate SDRAM | |
HYB25D128400CE-7 | QIMONDA |
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128-Mbit Double-Data-Rate SDRAM | |
HYB25D128400CEL-6 | QIMONDA |
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DDR DRAM, 32MX4, 0.5ns, CMOS, PDSO66 | |
HYB25D128400CEL-7 | QIMONDA |
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DDR DRAM, 32MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66 | |
HYB25D128400CT-5 | QIMONDA |
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DDR DRAM, 32MX4, 0.7ns, CMOS, PDSO66, PLASTIC, TSOP2-66 | |
HYB25D128400CT-7 | INFINEON |
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128 Mbit Double Data Rate SDRAM | |
HYB25D128400CT-7 | QIMONDA |
获取价格 |
128-Mbit Double-Data-Rate SDRAM | |
HYB25D128400CTL-7 | QIMONDA |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66 | |
HYB25D128800AT-6 | INFINEON |
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128 Mbit Double Data Rate SDRAM |