Datasheet > HYB25D128400CEL-6

HYB25D128400CEL-6

更新时间： 2024-11-12 14:42:43

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HYB25D128400CEL-6 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSSOP, TSSOP66,.46	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	最长访问时间：	0.5 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G66
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	4	端子数量：	66
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP66,.46	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
连续突发长度：	2,4,8	最大待机电流：	0.0045 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.215 mA
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.635 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

February 2007

HYB25D128160C[E/F/T]

HYB25D128400C[C/E/T]

HYB25D128800C[C/E/F/T]

128-Mbit Double-Data-Rate SDRAM

DDR SDRAM

Internet Data Sheet

Rev. 1.6

12 3 4 5 6 7...35

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HYB25D128400CEL-7	QIMONDA	获取价格	DDR DRAM, 32MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66
HYB25D128400CT-5	QIMONDA	获取价格	DDR DRAM, 32MX4, 0.7ns, CMOS, PDSO66, PLASTIC, TSOP2-66
HYB25D128400CT-7	INFINEON	获取价格	128 Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D128400CT-7	QIMONDA	获取价格	128-Mbit Double-Data-Rate SDRAM
HYB25D128400CTL-7	QIMONDA	获取价格	DDR DRAM, 32MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66
HYB25D128800AT-6	INFINEON	获取价格	128 Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D128800AT-7	INFINEON	获取价格	128 Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D128800AT-8	INFINEON	获取价格	128 Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D128800ATL-6	INFINEON	获取价格	128 Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D128800ATL-7	INFINEON	获取价格	128 Mbit Double Data Rate SDRAM