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HYB25D128400CE-7

更新时间: 2024-11-12 04:27:15
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奇梦达 - QIMONDA 动态存储器
页数 文件大小 规格书
35页 1979K
描述
128-Mbit Double-Data-Rate SDRAM

HYB25D128400CE-7 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2, TSSOP66,.46
针数:66Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.73访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.75 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):133 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:2,4,8JESD-30 代码:R-PDSO-G66
长度:22.22 mm内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:4
湿度敏感等级:1功能数量:1
端口数量:1端子数量:66
字数:33554432 words字数代码:32000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32MX4
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装等效代码:TSSOP66,.46
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):260电源:2.5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
连续突发长度:2,4,8最大待机电流:0.004 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.17 mA
最大供电电压 (Vsup):2.7 V最小供电电压 (Vsup):2.3 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

HYB25D128400CE-7 数据手册

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February 2007  
HYB25D128160C[E/F/T]  
HYB25D128400C[C/E/T]  
HYB25D128800C[C/E/F/T]  
128-Mbit Double-Data-Rate SDRAM  
DDR SDRAM  
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