是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP2 | 包装说明: | TSOP2, TSSOP66,.46 |
针数: | 66 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.02 |
风险等级: | 5.73 | 访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 0.75 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 133 MHz | I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 2,4,8 | JESD-30 代码: | R-PDSO-G66 |
长度: | 22.22 mm | 内存密度: | 134217728 bit |
内存集成电路类型: | DDR DRAM | 内存宽度: | 4 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 66 |
字数: | 33554432 words | 字数代码: | 32000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 32MX4 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP2 | 封装等效代码: | TSSOP66,.46 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 2.5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 4096 |
座面最大高度: | 1.2 mm | 自我刷新: | YES |
连续突发长度: | 2,4,8 | 最大待机电流: | 0.004 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.17 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.65 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
宽度: | 10.16 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HYB25D128400CEL-6 | QIMONDA |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX4, 0.5ns, CMOS, PDSO66 | |
HYB25D128400CEL-7 | QIMONDA |
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DDR DRAM, 32MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66 | |
HYB25D128400CT-5 | QIMONDA |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX4, 0.7ns, CMOS, PDSO66, PLASTIC, TSOP2-66 | |
HYB25D128400CT-7 | INFINEON |
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128 Mbit Double Data Rate SDRAM | |
HYB25D128400CT-7 | QIMONDA |
获取价格 |
128-Mbit Double-Data-Rate SDRAM | |
HYB25D128400CTL-7 | QIMONDA |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66 | |
HYB25D128800AT-6 | INFINEON |
获取价格 |
128 Mbit Double Data Rate SDRAM | |
HYB25D128800AT-7 | INFINEON |
获取价格 |
128 Mbit Double Data Rate SDRAM | |
HYB25D128800AT-8 | INFINEON |
获取价格 |
128 Mbit Double Data Rate SDRAM | |
HYB25D128800ATL-6 | INFINEON |
获取价格 |
128 Mbit Double Data Rate SDRAM |