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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | TFBGA, BGA48,6X8,30 |
| 针数： | 48 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 100 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PBGA-B48 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 6.3 mm |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 48 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 64KX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TFBGA |
| 封装等效代码： | BGA48,6X8,30 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 2.5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.1 mm | 最小待机电流： | 1.2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.03 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.75 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 宽度： | 6.2 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY62LF16101CLLF-10I | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48 |
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| HY62LF16101CLLF-70 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48 |
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| HY62LF16101CLLF-70I | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48 |
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| HY62LF16101CLLF-85I | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48 |
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| HY62LF16101CSLF-10 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48 |
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| HY62LF16101CSLF-10I | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48 |
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| HY62LF16101CSLF-70I | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48 |
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| HY62LF16101CSLF-85 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48 |
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| HY62LF16101CSLF-85I | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48 |
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| HY62LF16201A | ETC |
获取价格 |
x16|2.5V|70/85/100|Super Low Power Slow SRAM - 2M |
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