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HY62LF16101CSLF-85I

更新时间： 2024-11-13 19:19:35

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	191K
描述
Standard SRAM, 64KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48

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HY62LF16101CSLF-85I 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA48,6X8,30
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	最长访问时间：	85 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
JESD-609代码：	e0	长度：	6.3 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	64KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,30	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.1 mm	最小待机电流：	1.2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	6.2 mm	Base Number Matches：	1

HY62LF16101C Series

64Kx16bit full CMOS SRAM

Document Title

64K x16 bit 2.5V Super Low Power Full CMOS Slow SRAM

Revision History

Revision No History

Draft Date

Remark

Divide output load into a couple of factors

- tCLZ,tOLZ,tBLZ,tCHZ,tOHZ,tBHZ,tWHZ,tOW

- Others

Add marking information

Change Part Number

Dec.16. 2000 Final

Jun.07. 2001

- 2.5V Version : Q -> L

- HY62QF16101C -> HY62LF16101C

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any

responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev.04 /Jun. 01

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