是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | BGA-48 |
针数: | 48 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 70 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PBGA-B48 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 8 mm |
内存密度: | 2097152 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 48 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 128KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TFBGA |
封装等效代码: | BGA48,6X8,30 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 2.5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.1 mm |
最小待机电流: | 1.2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.03 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.75 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 7 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HY62LF16201ASLF-70I | ETC |
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x16 SRAM | |
HY62LF16201ASLF-85 | HYNIX |
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Standard SRAM, 128KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, BGA-48 | |
HY62LF16201ASLF-85I | ETC |
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x16 SRAM | |
HY62LF16201ASLF-I | HYNIX |
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Standard SRAM | |
HY62LF16206A | HYNIX |
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128Kx16bit full CMOS SRAM | |
HY62LF16206A-LT12C | ETC |
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x16 SRAM | |
HY62LF16206B | HYNIX |
获取价格 |
128Kx16bit full CMOS SRAM | |
HY62LF16206B-DT12C | HYNIX |
获取价格 |
128Kx16bit full CMOS SRAM | |
HY62LF16404C | HYNIX |
获取价格 |
256Kx16bit full CMOS SRAM | |
HY62LF16404C-DM | HYNIX |
获取价格 |
256Kx16bit full CMOS SRAM |