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HY62LF16406C-DM85I

更新时间： 2024-11-13 19:55:59

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	192K
描述
Standard SRAM, 256KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48

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HY62LF16406C-DM85I 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	VFBGA,	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	85 ns	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
JESD-609代码：	e1	长度：	8.4 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	0.95 mm
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	6.8 mm	Base Number Matches：	1

HY62LF16406C Series

256Kx16bit full CMOS SRAM

Document Title

256K x16 bit 2.3 ~ 2.7V Super Low Power FCMOS Slow SRAM

Revision History

Revision No History

Draft Date

Remark

Final

Initial Draft

Dec.20.2000

Mar.23.2001

Jun.07.2001

Changed Logo

Final

Changed Isb1 values

Final

Changed part No Q -> L

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Electronics does not assume any responsibility

for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev.02 / Jun.01

Hynix Semiconductor

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY62LF16406C-I	HYNIX	获取价格	256Kx16bit full CMOS SRAM
HY62LF16406C-SM70I	HYNIX	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48
HY62LF16406C-SM85I	HYNIX	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48
HY62LF16406D	HYNIX	获取价格	256Kx16bit full CMOS SRAM
HY62LF16406D-DF	HYNIX	获取价格	256Kx16bit full CMOS SRAM
HY62LF16406D-DF70I	ETC	获取价格	x16 SRAM
HY62LF16406D-DF85I	ETC	获取价格	x16 SRAM
HY62LF16406D-DFI	HYNIX	获取价格	256Kx16bit full CMOS SRAM
HY62LF16406D-SF	HYNIX	获取价格	256Kx16bit full CMOS SRAM
HY62LF16406D-SF70I	ETC	获取价格	x16 SRAM