生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP28,.6 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.84 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 85 ns |
其他特性: | ALSO OPERATES AT 3.3V NOMINAL | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 | 长度: | 37 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 32KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP28,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 3/3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 4.826 mm | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.03 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HY62KT08081E-DP85E | HYNIX |
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x8 SRAM | |
HY62KT08081E-DP85I | HYNIX |
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x8 SRAM | |
HY62KT08081E-DPC | HYNIX |
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32Kx8bit CMOS SRAM | |
HY62KT08081E-DPE | HYNIX |
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32Kx8bit CMOS SRAM | |
HY62KT08081E-DPI | HYNIX |
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32Kx8bit CMOS SRAM | |
HY62KT08081E-DT10C | HYNIX |
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x8 SRAM | |
HY62KT08081E-DT10E | HYNIX |
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x8 SRAM | |
HY62KT08081E-DT10I | HYNIX |
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x8 SRAM | |
HY62KT08081E-DT70C | HYNIX |
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x8 SRAM | |
HY62KT08081E-DT70E | HYNIX |
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x8 SRAM |