生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP |
包装说明: | TSOP1, TSSOP28,.53,22 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.84 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 100 ns |
其他特性: | ALSO OPERATES AT 3.3V NOMINAL | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G28 | JESD-609代码: | e6 |
长度: | 11.8 mm | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 32KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP1 | 封装等效代码: | TSSOP28,.53,22 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 3/3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.03 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | TIN BISMUTH |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.55 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 8 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HY62KT08081E-DT70C | HYNIX |
获取价格 |
x8 SRAM | |
HY62KT08081E-DT70E | HYNIX |
获取价格 |
x8 SRAM | |
HY62KT08081E-DT70I | HYNIX |
获取价格 |
x8 SRAM | |
HY62KT08081E-DT85C | HYNIX |
获取价格 |
x8 SRAM | |
HY62KT08081E-DT85E | HYNIX |
获取价格 |
x8 SRAM | |
HY62KT08081E-DT85I | HYNIX |
获取价格 |
x8 SRAM | |
HY62KT08081E-DTC | HYNIX |
获取价格 |
32Kx8bit CMOS SRAM | |
HY62KT08081E-DTE | HYNIX |
获取价格 |
32Kx8bit CMOS SRAM | |
HY62KT08081E-DTI | HYNIX |
获取价格 |
32Kx8bit CMOS SRAM | |
HY62LF16101CLLF-10 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48 |